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生產(chǎn)氧化鎵Ga2O3

氧化鎵Ga2O3：99.99% 氧化鎵：99.999% 氧化鎵：99.9999%

Element Concentration (ppm wt) ICP-OES Analysis (ppm) Al 1.0 Ca 2.6 Fe <1.0 Ni <0.8 Cu 3.8 Zn <2.2 In <2.1 Pb 3.2 Sn <1.8 項 目Project 化學成分（質(zhì)量分數(shù)） Chemical composition (mass fraction)% Ga2O3 ≥ 4N 5N 99.99 99.999 粒度Granularity 2um Impurity Content(min) 雜質(zhì)，不大于，×10-4 序號 No. 雜質(zhì)元素 Impurities 符號 Symbol 4N 99.99% 5N 99.999% 1 鈉 Na 2 0.8 2 鎂 Mg 2 0.5 3 鈣 Ca 5 1.0 4 鉻 Cr 2 0.5 5 錳 Mn 2 0.5 6 鐵 Fe 5 1.0 7 鈷 Co 2 0.4 8 鎳 Ni 2 0.4 9 銅 Cu 2 0.4 10 鋅 Zn 5 0.4 11 錫 Sn 5 0.5 12 銦 In 3 0.5 13 鉛 Pb 2 0.4 合 計Total 39 7.3 注：① 產(chǎn)品的質(zhì)量成分為100％減去表中所列雜質(zhì)（質(zhì)量分數(shù)）總和的余量。 CONCLUSION The total of other elements are less than 100ppm (<0.01%). 

分子量：187.44。

顏色：白色結(jié)晶粉末。

作用：氧化鎵（Ga2O3）是一種寬帶半導體，-Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。